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力传感器有很多参数指标，其中有一项是过载保护，过载就是负荷过大，超过了设备本身的额定负载，产生的现象是电流过大 ，用电设备发热 ，线路长期过载会降低线路绝缘水平，甚至烧毁传感器设备或线路；过载保护就是即使负荷超过了额定负载也不会出现烧坏线路的情况，但是也有一个度，一般是150%的范围内 ，而且不能持续过载工作 。
力传感器有很多形式 ，每种结构形式的过载保护设计方法也是各不相同的，众多方法都有各自的优点和缺点，采用MEMS技术的小量程 、高灵敏力传感器通常有平膜、岛膜、梁膜等结构，在设计过载保护时，一般采用凸台等方法实现 ，形成方法有背部刻蚀技术、硅直接键合技术 、玻璃刻蚀技术等。然而这些结构一般都有一个很大的局限性就是腔体尺寸较大，进一步提高灵敏度受到限制 ，而且降低了硅片利用率，增加了力矩传感器制造工艺的复杂度，提高了生产成本。
目前，小量程 、高灵敏力传感器的研究热点集中在牺牲层结构力传感器，这主要是因为牺牲层结构力传感器弹性膜片很薄 ，厚度可做到2μm ，甚至更薄。在这样薄的结构上，如果采用扩散硅或多晶硅薄膜作为牺牲层结构力传感器的应变电阻 ，其厚度相对较大 ，对弹性膜片应力分布影响很大 ，不利于牺牲层结构压力传感器的性能优化 ，因此采用多晶硅纳米薄膜制作应变电阻更能发挥牺牲层技术的优点 。
过载保护是每种传感器都要考虑的，因为在使用过程中可能会出现测量值大于量程的情况，只有设计了过载保护的传感器才能更加好的使用，也才能使用得更久。具体每种传感器的过载保护是如何设计的，过载范围是多少都是不同的，所以不管是买哪种传感器厂家要了解它的过载保护是多少 ，这样才能更加好的方便使用，在未来使用过程中也不会出现由于过载烧坏电路的情况 。
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